반도체/공정 (3) 썸네일형 리스트형 [GeOI substrates] flipped Smart-Cut 공정 반도체 소자 카테고리에서 다룬 GOI구조를 만들기 위해서는 smart cut 공정이 필요하다. 기존의 smart cut은 SOI 구조용 wafer를 제조하는 공정법이다. smart cut 공정은 2가지 wafer ( handle wafer , device wafer)를 결합하는데 결합되는 wafer중 하나에 수소 이온을 주입하여 수소 이온주입층을 형성한 후 열처리에 의해 이 수소 이온 주입층을 중심으로 wafer를 분리시키는 공정이다. 구체적인 방법은 다음과 같다. 1. 디바이스 웨이퍼에 열산화공정으로 표면에 절연막(SiO2)를 형성한다. 이 절연막은 SOI웨이퍼에서 BOX(Buried Oxide Layer: 매몰 산화층)역할을 한다. 필요.. [정리] n-well CMOS 공정 flow (하) 지난 과정에 이어서 CMOS공정과 금속 layer까지 쌓는 것으로 마무리한다. 23.Photolithography : #4 n+ S/D mask 사용 24. n+ S/D implantation : As 사용 : MOS소자의 RC delay를 발생시키는 기생 capacitor는 gate와 n+영역의 overlab때문에 생긴다. 따라서 RC delay를 줄이기 위해서는 gate와(아래 단면도의 경우 poly -si) n+도핑되는 영역이 lateral하면 안되고 도핑 profile이 anisotropic해야한것이 좋다. 24번 공정이전에 poly si로 gate를 먼저 만들어 둔뒤에 implantation을 진행하면 poly si gate가 mask가 되어 정확한 경계에 맞춰서 도핑이 가능하다. 이러한 공정을.. [정리] n-well CMOS 공정 flow (상) CMOS회로는 nMOSFET과 pMOSFET이 쌍을 이루어 구성되므로 p-sub wafer라면 n-well영역을, n-sub wafer면 p-well영역을 형성해야한다. 둘다 사용하여 twin-well공정을 할 수도있다. 이번에 정리할 공정 flow는 n-well CMOS와 metal layer이다. 1. Initial Dry oxidation : 산소 기체를 사용하여 1200℃에서 진행되는 공정으로 wet oxidation에 비해선 속도가 느리다. 그러나 oxide 두께를 정밀하게 조절이 가능하며 산화막 특성이 좋아 gate oxide나 캐퍼시터의 유전체등에 사용된다. 이 과정으로 생성된 oxide(SiO2)는 이후 n-well영역 형성을 위한 mask가 된다. 2.Photolithography : #.. 이전 1 다음
